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有读书笔记有附件Control and characterization of individual grains and grain boundaries in graphene grown by chemical vapour deposition

zsbird1223 添加于 2011-5-25 00:31 | 2757 次阅读 | 0 个评论

  •  作 者

    Yu Q, Jauregui LA, Wu W, Colby R, Tian J, Su Z, Cao H, Liu Z, Pandey D, Wei D, Chung TF, Peng P, Guisinger NP, Stach EA, Bao J, Pei S-S, Chen YP

  •  详细资料

    • 文献种类:期刊
    • 期刊名称: Nature Materials
    • 期刊缩写: Nat Mater
    • 期卷页: 2011年  第10卷 第6期 443-449页
    • ISBN: 1476-1122

  •  标 签

    课题相关一星  期刊影响五星 

  • 相关链接 DOI URL 

  •  附 件

    PDF附件Control and characterization of individual grains and grain boundaries in graphene grown by chemical vapour deposition 

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    题目为石墨烯单晶的控制？
    在石墨烯变得耳熟能详之前，都讨论说石墨不存在单晶。这可能是由于层间范德华力的原因。我个人感觉单层石墨烯就可以称为单晶石墨烯。希望证明我是错的，能纠正些东西（的确是错的）。

    前言首先讲到石墨烯的两种大规模制备方法为SiC表面的石墨化和在过渡金属如镍和铜表面的化学气相沉积。已征明可以在多晶铜箔上CVD生长高品质单层石墨烯，这种方法简单且低成本，能够制备大尺寸石墨烯，30英寸。缺点之一，就是有许多小单晶组成。这是由多处成核，联并而成，降低了电性能和力学性能。

    石墨烯在这里仅指单层的，当多点成核且生长发生联并时，联并处产生晶界。大面积石墨烯必须面对这个问题。我自己没什么好想法，看看作者的思路。
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