High-speed graphene transistors with a self-aligned nanowire gate-lib - 新科学想法 -

文献种类: Journal Article
期刊名称: Nature
期刊缩写: Nature
期卷页: &nbsp;2010 年 &nbsp; 第 467 卷 &nbsp; 第 7313 期 &nbsp;305-308 页
ISBN: 0028-0836

因石墨烯所具有的高载荷子迁移率，人们对其用于高速电子应用有相当大兴趣，但传统器件制造过程会在构成石墨烯的碳薄层（厚度之小达到原子级）中产生较大缺陷，严重降低器件性能。Liao等人报告了一种新的制造方法，它能通过将一根具有金属核和绝缘壳的纳米线放置到石墨烯上作为一个门控电极，从而绕过这种性能下降。然后，通过一个自排列过程将“源极”和“漏极”沉积到石墨烯上，这个自排列过程不会对石墨烯的晶格造成可以觉察到的损坏，同时还能保持其高载荷子迁移率。这种独特的器件布局可以确保“源极”、“漏极”和“门极”的边缘能够精确定位，使晶体管的速度性能可以与尺寸相似的现有最好器件相媲美。