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Ultrathin compound semiconductor on insulator layers for high-performance nanoscale transistors

Dr.LinZhen 添加于 2010-11-12 13:14 | 1929 次阅读 | 0 个评论

作者
Ko H, Takei K, Kapadia R, Chuang S, Fang H, Leu PW, Ganapathi K, Plis E, Kim HS, Chen S-Y, Madsen M, Ford AC, Chueh Y-L, Krishna S, Salahuddin S, Javey A
详细资料
- 文献种类: Journal Article
- 期刊名称: Nature
- 期刊缩写: Nature
- 期卷页: 2010年第468卷第7321期 286-289页
- ISBN: 0028-0836
学科领域生物医药 » 基础医学
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高性能纳米晶体管

砷化镓和砷化铟等化合物半导体材料有突出的电子性能，但加工成本高昂，而且其本身在低成本制造方面无法与硅竞争。但硅电子器件的无情小型化正在逼近其极限，一种具有更好器件性能的替代方法正在变得越来越有吸引力，这种替代方法即将化合物半导体集成到硅中。现在，Ali Javey及其同事提出利用“外延（取向）转移方法”（从大面积光电子学借用的一种方法）来将单晶砷化铟超薄层集成到硅基质上的一个很有希望的新概念。采用这种方法（该方法涉及利用一种弹性印章将砷化铟纳米线揭下来、将它们转移到一个硅基质上），本文作者们制造出了具有极好器件性能的薄膜晶体管。

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