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Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates
dynamoliu
添加于 2011-3-5 15:28
|
767 次阅读
|
0 个评论
作 者
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR
详细资料
文献种类:
Journal Article
期刊名称:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures
期刊缩写:
J. Vac. Sci. Technol. B
期卷页:
2000
年
第
18
卷
第
4
期
1991
页
ISBN:
0734211X
学科领域
自然科学
»
物理学
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附 件
Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular
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